TLP291(TP,E) datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

• Маркировка
  TLP291(TP,E)
• Производитель
  TOSHIBA Semiconductor
• Описание
  TOSHIBA Semiconductor TLP291(TP,E) Product Category: Opto - Photocouplers RoHS: yes Maximum Collector Emitter Voltage: 80 V Maximum Collector Emitter Saturation Voltage: 0.3 V Isolation Voltage: 3750 Vrms Current Transfer Ratio: 400 % Maximum Forward Diode Voltage: 1.4 V Maximum Input Diode Current: 50 mA Maximum Collector Current: 50 mA Maximum Power Dissipation: 200 mW Maximum Operating Temperature: + 110 C Minimum Operating Temperature: - 55 C Brand: Toshiba Forward Current: 50 mA Maximum Fall Time: 7 us Maximum Reverse Diode Voltage: 5 V Maximum Rise Time: 4 us Number of Channels per Chip: 1 Channel Output Device: NPN Phototransistor Factory Pack Quantity: 2500
• Количество страниц
  13 шт.
• Формат
  PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)
• Размер файла
  284,56 KB

TLP291(TP,E) datasheet скачать

TLP291(TP,E) datasheet